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FM25CL64B-GATR

FM25CL64B-GATR

참조 용

부품 번호 FM25CL64B-GATR
PNEDA 부품 번호 FM25CL64B-GATR
설명 IC FRAM 64K SPI 16MHZ 8SOIC
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 1
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 1 - 5월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FM25CL64B-GATR 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FM25CL64B-GATR
분류반도체메모리 IC기억

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FM25CL64B-GATR 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈F-RAM™
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FRAM
기술FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수16MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

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시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

6ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TFBGA

공급자 장치 패키지

54-TFBGA (8x8)

CY7C1418KV18-300BZXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II

메모리 크기

36Mb (2M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

300MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

IS42RM32400H-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile

메모리 크기

128Mb (4M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.5ns

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-TFBGA

공급자 장치 패키지

90-TFBGA (8x13)

MT29F1G08ABBEAH4-IT:E

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

63-VFBGA

공급자 장치 패키지

63-VFBGA (10.5x13)

IDT71V124SA10PH8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

3.15V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

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