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FM27C512Q120

FM27C512Q120

참조 용

부품 번호 FM27C512Q120
PNEDA 부품 번호 FM27C512Q120
설명 IC EPROM 512K PARALLEL 28CDIP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,058
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FM27C512Q120 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FM27C512Q120
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
FM27C512Q120, FM27C512Q120 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 96.97 KB)
PDFFM27C512Q150 데이터 시트 표지
FM27C512Q150 데이터 시트 페이지 2 FM27C512Q150 데이터 시트 페이지 3 FM27C512Q150 데이터 시트 페이지 4 FM27C512Q150 데이터 시트 페이지 5 FM27C512Q150 데이터 시트 페이지 6 FM27C512Q150 데이터 시트 페이지 7 FM27C512Q150 데이터 시트 페이지 8 FM27C512Q150 데이터 시트 페이지 9 FM27C512Q150 데이터 시트 페이지 10

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FM27C512Q120 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EPROM
기술EPROM - UV
메모리 크기512Kb (64K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간120ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window
공급자 장치 패키지28-CDIP

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메모리 유형

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메모리 포맷

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기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

32-SOJ

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5.0ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

60-VFBGA (8x9)

24LC014T-I/MC

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN (2x3)

MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

12Gb (384M x 32)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1866MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

200-WFBGA

공급자 장치 패키지

200-WFBGA (10x14.5)

71V65603S133BGI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4.2ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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