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FMG2G400US60

FMG2G400US60 FMG2G400US60

참조 용

부품 번호 FMG2G400US60
PNEDA 부품 번호 FMG2G400US60
설명 IGBT MOLDING 600V 400A 7PM-IA
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $1,206.8333
50 ---------- $1,150.2630
100 ---------- $1,093.6927
200 ---------- $1,037.1224
400 ---------- $989.9804
500 ---------- $942.8385
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FMG2G400US60 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FMG2G400US60
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FMG2G400US60, FMG2G400US60 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 566.08 KB)
PDFFMG2G400US60 데이터 시트 표지
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FMG2G400US60 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)400A
전력-최대1136W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대)250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce-
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스7PM-IA
공급자 장치 패키지7PM-IA

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1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

300A

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

19nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FS3L30R07W2H3FB11BPSA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

EasyPACK™ 2B

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전력-최대

20mW

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FF800R17KF6CB2NOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

6250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 800A

전류-수집기 차단 (최대)

1.5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

52nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-GB100LH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

833W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.77V @ 15V, 100A (Typ)

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

8.96nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Double INT-A-PAK (3 + 4)

공급자 장치 패키지

Double INT-A-PAK

GB35XF120K

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전력-최대

284W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.475nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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