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FMG2G75US60

FMG2G75US60

참조 용

부품 번호 FMG2G75US60
PNEDA 부품 번호 FMG2G75US60
설명 IGBT MOLDING 600V 75A 7PM-GA
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $54.1395
100 ---------- $51.6017
250 ---------- $49.0639
500 ---------- $46.5262
750 ---------- $44.4113
1,000 ---------- $42.2965
재고 있음 23,598
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FMG2G75US60 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FMG2G75US60
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FMG2G75US60, FMG2G75US60 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 648.05 KB)
PDFFMG2G75US60 데이터 시트 표지
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FMG2G75US60 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)75A
전력-최대310W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대)250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce7.056nF @ 30V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스7PM-GA
공급자 장치 패키지7PM-GA

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BSM200GA120DN2HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single Switch

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

300A

전력-최대

1550W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

4mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FP35R12W2T4B11BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

54A

전력-최대

215W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

F3L300R12PT4B26COSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

460A

전력-최대

1650W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

18.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FZ400R65KE3NOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

6500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

800A

전력-최대

8350W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

110nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-50°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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