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FMM150-0075P

FMM150-0075P

참조 용

부품 번호 FMM150-0075P
PNEDA 부품 번호 FMM150-0075P
설명 MOSFET 2N-CH 75V 150A I4-PAC-5
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FMM150-0075P 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FMM150-0075P
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FMM150-0075P, FMM150-0075P 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 105.43 KB)
PDFFMM150-0075P 데이터 시트 표지
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FMM150-0075P 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)150A
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.2mOhm @ 120A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs225nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지ISOPLUS i4-PAC™

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

800mA, 550mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

380mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

950mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.68nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

83pF @ 10V

전력-최대

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작동 온도

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

47nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2367pF @ 15V

전력-최대

3.9W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A, 2.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

505pF @ 20V

전력-최대

1W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

310pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (최대) @ Id

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