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FMMT415TD

FMMT415TD

참조 용

부품 번호 FMMT415TD
PNEDA 부품 번호 FMMT415TD
설명 TRANS NPN 100V 0.5A SOT23-3
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 16,836
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FMMT415TD 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FMMT415TD
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
FMMT415TD, FMMT415TD 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 534.29 KB)
PDFFMMT417TC 데이터 시트 표지
FMMT417TC 데이터 시트 페이지 2 FMMT417TC 데이터 시트 페이지 3 FMMT417TC 데이터 시트 페이지 4 FMMT417TC 데이터 시트 페이지 5 FMMT417TC 데이터 시트 페이지 6 FMMT417TC 데이터 시트 페이지 7

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FMMT415TD 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Avalanche Mode
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce25 @ 10mA, 10V
전력-최대330mW
주파수-전환40MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 500µA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

1μA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30000 @ 100mA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

TTA004B,Q

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

160V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

140 @ 100mA, 5V

전력-최대

10W

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

TO-126N

ZTX789ASTOA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 10mA, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E-Line-3, Formed Leads

공급자 장치 패키지

E-Line (TO-92 compatible)

2N5154

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

PBSS5130QAZ

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

240mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

130 @ 1A, 2V

전력-최대

325mW

주파수-전환

170MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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