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FMMT558TC

FMMT558TC

참조 용

부품 번호 FMMT558TC
PNEDA 부품 번호 FMMT558TC
설명 TRANS PNP 400V 0.15A SOT23-3
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 5,094
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 6 - 4월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FMMT558TC 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FMMT558TC
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
FMMT558TC, FMMT558TC 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 400.42 KB)
PDFFMMT558TC 데이터 시트 표지
FMMT558TC 데이터 시트 페이지 2 FMMT558TC 데이터 시트 페이지 3 FMMT558TC 데이터 시트 페이지 4 FMMT558TC 데이터 시트 페이지 5 FMMT558TC 데이터 시트 페이지 6 FMMT558TC 데이터 시트 페이지 7

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FMMT558TC 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 6mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 50mA, 10V
전력-최대500mW
주파수-전환50MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 100mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 10V

전력-최대

-

주파수-전환

55MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB

NSS1C200MZ4T1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

220mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 2V

전력-최대

800mW

주파수-전환

120MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SOT-223

KSD560RTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 3mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

2000 @ 3A, 2V

전력-최대

1.5W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

FZT1048ATA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

17.5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

350mV @ 25mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

10nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 1A, 2V

전력-최대

2.5W

주파수-전환

150MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SOT-223

JANTXV2N3440

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

250V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 4mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

2µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

전력-최대

800mW

주파수-전환

-

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

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