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FMMT591TA

FMMT591TA

참조 용

부품 번호 FMMT591TA
PNEDA 부품 번호 FMMT591TA
설명 TRANS PNP 60V 1A SOT23-3
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 233,766
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 20 - 1월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FMMT591TA 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FMMT591TA
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
FMMT591TA, FMMT591TA 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 470.88 KB)
PDFFMMT591TC 데이터 시트 표지
FMMT591TC 데이터 시트 페이지 2 FMMT591TC 데이터 시트 페이지 3 FMMT591TC 데이터 시트 페이지 4 FMMT591TC 데이터 시트 페이지 5 FMMT591TC 데이터 시트 페이지 6 FMMT591TC 데이터 시트 페이지 7

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FMMT591TA 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic350mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대)100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 500mA, 5V
전력-최대500mW
주파수-전환150MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

150 @ 100µA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

40MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

PN5139

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 100µA, 1mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 1mA, 10V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

공급자 장치 패키지

TO-92S

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 500µA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

1μA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30000 @ 100mA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2N6427

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 500µA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

1μA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20000 @ 100mA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2SA2210

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 350mA, 7A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

150 @ 1A, 2V

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2W

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