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FMMTL717TA

FMMTL717TA

참조 용

부품 번호 FMMTL717TA
PNEDA 부품 번호 FMMTL717TA
설명 TRANS PNP 12V 1.25A SOT23-3
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 22,926
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FMMTL717TA 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FMMTL717TA
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
FMMTL717TA, FMMTL717TA 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 395.38 KB)
PDFFMMTL717TC 데이터 시트 표지
FMMTL717TC 데이터 시트 페이지 2 FMMTL717TC 데이터 시트 페이지 3 FMMTL717TC 데이터 시트 페이지 4 FMMTL717TC 데이터 시트 페이지 5 FMMTL717TC 데이터 시트 페이지 6 FMMTL717TC 데이터 시트 페이지 7

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FMMTL717TA 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)1.25A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic290mV @ 50mA, 1.25A
전류-수집기 차단 (최대)10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce300 @ 100mA, 2V
전력-최대500mW
주파수-전환205MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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제조업체

MICROSS/On Semiconductor

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

160V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 200mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 300mA, 5V

전력-최대

1.2W

주파수-전환

155MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

TO-126-3

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

800mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 500mA, 1V

전력-최대

36W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

SOT-32

2SC3328-Y,HOF(M

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 500mA, 2V

전력-최대

900mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

공급자 장치 패키지

LSTM

KSA916YBU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 5V

전력-최대

900mW

주파수-전환

120MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

공급자 장치 패키지

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