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FMS6G20US60

FMS6G20US60

참조 용

부품 번호 FMS6G20US60
PNEDA 부품 번호 FMS6G20US60
설명 IGBT 600V 20A 25PM-AA
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,580
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 12 - 3월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FMS6G20US60 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FMS6G20US60
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FMS6G20US60, FMS6G20US60 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 780.23 KB)
PDFFMS6G20US60 데이터 시트 표지
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FMS6G20US60 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)20A
전력-최대89W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 20A
전류-수집기 차단 (최대)250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce1.277nF @ 30V
입력Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스25PM-AA
공급자 장치 패키지25PM-AA

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구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전력-최대

20mW

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

24.5A

전력-최대

82W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

600µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

ECO-PAC2

공급자 장치 패키지

ECO-PAC2

FF300R12KT3PEHOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

C

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

300A

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

21nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

CM150DU-34KA

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

IGBTMOD™

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

1100W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

21nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

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구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

600A

전력-최대

2119W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

28.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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