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FP10R12W1T4B29BOMA1

FP10R12W1T4B29BOMA1

참조 용

부품 번호 FP10R12W1T4B29BOMA1
PNEDA 부품 번호 FP10R12W1T4B29BOMA1
설명 IGBT MODULE VCES 600V 100A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,470
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 12 - 3월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FP10R12W1T4B29BOMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FP10R12W1T4B29BOMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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  • FP10R12W1T4B29BOMA1 Distributor

FP10R12W1T4B29BOMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈*
IGBT 유형-
구성-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전력-최대-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce-
입력-
NTC 서미스터-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

APT40GP60JDQ2

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

86A

전력-최대

284W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.61nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

ISOTOP®

PSDC312E8427618NOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

FS50R12W2T4BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

83A

전력-최대

335W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-GA250SA60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전력-최대

961W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.66V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

16.25nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4

공급자 장치 패키지

SOT-227

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IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOP2