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FP25R12KT3BOSA1

FP25R12KT3BOSA1

참조 용

부품 번호 FP25R12KT3BOSA1
PNEDA 부품 번호 FP25R12KT3BOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 1200V 40A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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FP25R12KT3BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FP25R12KT3BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FP25R12KT3BOSA1, FP25R12KT3BOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 574.5 KB)
PDFFP25R12KT3BOSA1 데이터 시트 표지
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  • FP25R12KT3BOSA1 Distributor

FP25R12KT3BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)40A
전력-최대155W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대)5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce1.8nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

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구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

580A

전력-최대

2000W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

28nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FF1200R12KE3NOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

5000W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 1200A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

86nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGF100A120T3AG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

130A

전력-최대

780W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

FD800R45KL3KB5NPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single Chopper

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

4500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

800A

전력-최대

9000W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.85V @ 15V, 800A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

185nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-50°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

BSM50GD120DN2BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

72A

전력-최대

350W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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