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FP50R12KT4GB15BOSA1

FP50R12KT4GB15BOSA1

참조 용

부품 번호 FP50R12KT4GB15BOSA1
PNEDA 부품 번호 FP50R12KT4GB15BOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 600V 50A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 2,682
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FP50R12KT4GB15BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FP50R12KT4GB15BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FP50R12KT4GB15BOSA1, FP50R12KT4GB15BOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 827.41 KB)
PDFFP50R12KT4GB15BOSA1 데이터 시트 표지
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  • FP50R12KT4GB15BOSA1 Distributor

FP50R12KT4GB15BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)50A
전력-최대280W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce2.8nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

300A

전력-최대

910W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

20.2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

POWIR® 62

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시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

230A

전력-최대

833W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

350µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

APTGT100DA170D1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

695W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

8.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D1

공급자 장치 패키지

D1

FMS7G20US60S

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter with Brake

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전력-최대

89W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.277nF @ 30V

입력

Single Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

25PM-AA

공급자 장치 패키지

25PM-AA

DF80R12W2H3FB11BPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전력-최대

20mW

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 20A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.35nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

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