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FP50R12KT4GBOSA1

FP50R12KT4GBOSA1

참조 용

부품 번호 FP50R12KT4GBOSA1
PNEDA 부품 번호 FP50R12KT4GBOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 600V 50A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,474
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 3 - 2월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FP50R12KT4GBOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FP50R12KT4GBOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FP50R12KT4GBOSA1, FP50R12KT4GBOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 846.34 KB)
PDFFP50R12KT4GBOSA1 데이터 시트 표지
FP50R12KT4GBOSA1 데이터 시트 페이지 2 FP50R12KT4GBOSA1 데이터 시트 페이지 3 FP50R12KT4GBOSA1 데이터 시트 페이지 4 FP50R12KT4GBOSA1 데이터 시트 페이지 5 FP50R12KT4GBOSA1 데이터 시트 페이지 6 FP50R12KT4GBOSA1 데이터 시트 페이지 7 FP50R12KT4GBOSA1 데이터 시트 페이지 8 FP50R12KT4GBOSA1 데이터 시트 페이지 9 FP50R12KT4GBOSA1 데이터 시트 페이지 10 FP50R12KT4GBOSA1 데이터 시트 페이지 11

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  • FP50R12KT4GBOSA1 Distributor

FP50R12KT4GBOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)50A
전력-최대280W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce2.8nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전력-최대

385W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

500A

전력-최대

1250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

24nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

D3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전력-최대

20mW

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.55V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

40µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-GB100LP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

658W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 100A (Typ)

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7.43nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

INT-A-Pak

공급자 장치 패키지

INT-A-PAK

FS200R12KT4RBOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

280A

전력-최대

1000W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

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