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FP75R12N2T4BOSA1

FP75R12N2T4BOSA1

참조 용

부품 번호 FP75R12N2T4BOSA1
PNEDA 부품 번호 FP75R12N2T4BOSA1
설명 LOW POWER ECONO
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,380
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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FP75R12N2T4BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FP75R12N2T4BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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  • FP75R12N2T4BOSA1 Distributor

FP75R12N2T4BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전력-최대-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce-
입력-
NTC 서미스터-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

580A

전력-최대

2100W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

750µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

29nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D-3 Module

공급자 장치 패키지

D3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65A

전력-최대

175W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

650W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7.43nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

INT-A-Pak

공급자 장치 패키지

INT-A-PAK

FS100R17N3E4BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

600W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

IRG7T75HF12A

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

450W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

10.4nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

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