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FP75R17N3E4BPSA1

FP75R17N3E4BPSA1

참조 용

부품 번호 FP75R17N3E4BPSA1
PNEDA 부품 번호 FP75R17N3E4BPSA1
설명 IGBT MODULE VCES 600V 75A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,158
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 9 - 2월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FP75R17N3E4BPSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FP75R17N3E4BPSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FP75R17N3E4BPSA1, FP75R17N3E4BPSA1 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 799.14 KB)
PDFFP75R17N3E4BPSA1 데이터 시트 표지
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FP75R17N3E4BPSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1700V
전류-수집기 (Ic) (최대)125A
전력-최대555W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce6.8nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

6500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1200A

전력-최대

2400W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

160nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-50°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

325A

전력-최대

1150W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 225A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

16nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FF300R12KE3B2HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

440A

전력-최대

1450W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

21nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FD1200R17KE3KNOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Dual Brake Chopper

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1600A

전력-최대

5950W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 1200A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

110nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGT35X120T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

55A

전력-최대

208W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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