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FQD5P10TM

FQD5P10TM

참조 용

부품 번호 FQD5P10TM
PNEDA 부품 번호 FQD5P10TM
설명 MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK
제조업체 ON Semiconductor
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예상 배송 2월 12 - 2월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FQD5P10TM 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FQD5P10TM
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FQD5P10TM, FQD5P10TM 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 911.34 KB)
PDFFQD5P10TF 데이터 시트 표지
FQD5P10TF 데이터 시트 페이지 2 FQD5P10TF 데이터 시트 페이지 3 FQD5P10TF 데이터 시트 페이지 4 FQD5P10TF 데이터 시트 페이지 5 FQD5P10TF 데이터 시트 페이지 6 FQD5P10TF 데이터 시트 페이지 7 FQD5P10TF 데이터 시트 페이지 8

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FQD5P10TM 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈QFET®
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.05Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8.2nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds250pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.5W (Ta), 25W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D-Pak
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

관심을 가질만한 제품

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

340pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.8W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-SOT223-4

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

IPD90N06S4L05ATMA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 60µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8180pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

107W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3-11

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPI12CNE8N G

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

85V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

67A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.6mOhm @ 67A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 83µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4340pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO262-3

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

TSM2312CX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.9A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 4.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.2nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

500pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

750mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.4nC @ 5V

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

650pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

56W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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