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FQPF11N50CF

FQPF11N50CF

참조 용

부품 번호 FQPF11N50CF
PNEDA 부품 번호 FQPF11N50CF
설명 MOSFET N-CH 500V 11A TO-220F
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FQPF11N50CF 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FQPF11N50CF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FQPF11N50CF, FQPF11N50CF 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 950.7 KB)
PDFFQPF11N50CF 데이터 시트 표지
FQPF11N50CF 데이터 시트 페이지 2 FQPF11N50CF 데이터 시트 페이지 3 FQPF11N50CF 데이터 시트 페이지 4 FQPF11N50CF 데이터 시트 페이지 5 FQPF11N50CF 데이터 시트 페이지 6 FQPF11N50CF 데이터 시트 페이지 7 FQPF11N50CF 데이터 시트 페이지 8 FQPF11N50CF 데이터 시트 페이지 9 FQPF11N50CF 데이터 시트 페이지 10

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FQPF11N50CF 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈FRFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs550mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs55nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2055pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)48W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220F
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

관심을 가질만한 제품

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™, Polar3™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

360mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 1.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXFH)

패키지 / 케이스

TO-247-3

STD120N4F6

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3850pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

110W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STW6N90K5

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ K5

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

110W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247

패키지 / 케이스

TO-247-3

STT5PF20V

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™ II

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

450mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.5nC @ 2.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

412pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.6W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-6

패키지 / 케이스

SOT-23-6

제조업체

IXYS

시리즈

TrenchP™

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

85V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

96A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13mOhm @ 48A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13100pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

298W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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H1102NLT

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CMS16(TE12L,Q,M)

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SMAJ150CA-E3/61

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 150V 243V DO214AC

RJR26FW102R

RJR26FW102R

Bourns

TRIMMER 1K OHM 0.25W PC PIN TOP