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FQPF15P12

FQPF15P12

참조 용

부품 번호 FQPF15P12
PNEDA 부품 번호 FQPF15P12
설명 MOSFET P-CH 120V 15A TO-220F
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 22,872
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 9 - 4월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FQPF15P12 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FQPF15P12
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FQPF15P12, FQPF15P12 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 954.63 KB)
PDFFQP15P12 데이터 시트 표지
FQP15P12 데이터 시트 페이지 2 FQP15P12 데이터 시트 페이지 3 FQP15P12 데이터 시트 페이지 4 FQP15P12 데이터 시트 페이지 5 FQP15P12 데이터 시트 페이지 6 FQP15P12 데이터 시트 페이지 7 FQP15P12 데이터 시트 페이지 8 FQP15P12 데이터 시트 페이지 9 FQP15P12 데이터 시트 페이지 10 FQP15P12 데이터 시트 페이지 11

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FQPF15P12 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈QFET®
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)120V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs200mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs38nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1100pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)41W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220F
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

400mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

530pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

40W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

NTLJS2103PTAG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

800mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1157pF @ 6V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

700mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-WDFN (2x2)

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

IPB031N08N5ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.8V @ 108µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

87nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6240pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

167W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRF9520STRR

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

600mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

390pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.7W (Ta), 60W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

DMN60H4D5SK3-13

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제조업체

Diodes Incorporated

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

273.5pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

41W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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