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FQPF3P20

FQPF3P20

참조 용

부품 번호 FQPF3P20
PNEDA 부품 번호 FQPF3P20
설명 MOSFET P-CH 200V 2.2A TO-220F
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,870
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FQPF3P20 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FQPF3P20
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FQPF3P20, FQPF3P20 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 531.35 KB)
PDFFQPF3P20 데이터 시트 표지
FQPF3P20 데이터 시트 페이지 2 FQPF3P20 데이터 시트 페이지 3 FQPF3P20 데이터 시트 페이지 4 FQPF3P20 데이터 시트 페이지 5 FQPF3P20 데이터 시트 페이지 6 FQPF3P20 데이터 시트 페이지 7 FQPF3P20 데이터 시트 페이지 8

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FQPF3P20 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈QFET®
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.7Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds250pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)32W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220F
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

880pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

37W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB Full-Pak

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

IPD65R1K4CFDBTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

262pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

28.4W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

2SK353900L

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15Ohm @ 10mA, 2.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±7V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12pF @ 3V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SMini3-G1

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

IRLH5034TR2PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

29A (Ta), 100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

82nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4730pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.6W (Ta), 156W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-PQFN (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

IRFR3806TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

43A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1150pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

71W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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