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FQPF5N50CFTU

FQPF5N50CFTU

참조 용

부품 번호 FQPF5N50CFTU
PNEDA 부품 번호 FQPF5N50CFTU
설명 MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F
제조업체 ON Semiconductor
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FQPF5N50CFTU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FQPF5N50CFTU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FQPF5N50CFTU, FQPF5N50CFTU 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 657.27 KB)
PDFFQPF5N50CFTU 데이터 시트 표지
FQPF5N50CFTU 데이터 시트 페이지 2 FQPF5N50CFTU 데이터 시트 페이지 3 FQPF5N50CFTU 데이터 시트 페이지 4 FQPF5N50CFTU 데이터 시트 페이지 5 FQPF5N50CFTU 데이터 시트 페이지 6 FQPF5N50CFTU 데이터 시트 페이지 7 FQPF5N50CFTU 데이터 시트 페이지 8

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FQPF5N50CFTU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈FRFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.55Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs24nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds625pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)38W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220F
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

400mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

550pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 46W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

JAN2N6790

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/555

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

850mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14.3nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

800mW (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-39

패키지 / 케이스

TO-205AF Metal Can

IRF7809PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

28V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

STP19NF20

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MESH OVERLAY™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

160mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

90W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

IRFD220

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

800mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

800mOhm @ 480mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

260pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

패키지 / 케이스

4-DIP (0.300", 7.62mm)

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