FQPF7P06
참조 용
| 부품 번호 | FQPF7P06 |
| PNEDA 부품 번호 | FQPF7P06 |
| 설명 | MOSFET P-CH 60V 5.3A TO-220F |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,480 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 22 - 1월 27 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FQPF7P06 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FQPF7P06 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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FQPF7P06 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | QFET® |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5.3A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 410mOhm @ 2.65A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±25V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 295pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 24W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220F |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack |
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제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 5mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 93nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5300pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.2W (Ta), 77W (Tc) 작동 온도 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-252 (MP-3ZK) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.9A (Ta), 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 150mOhm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10.2nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 330pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-223 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 16V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 39mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10nC @ 4.5V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 282pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 650mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 X2-DFN2015-3 패키지 / 케이스 3-XDFN |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 23nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1300pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.6W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
