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FR6J05

FR6J05

참조 용

부품 번호 FR6J05
PNEDA 부품 번호 FR6J05
설명 DIODE GEN PURP 600V 6A DO4
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,742
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 29 - 5월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FR6J05 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FR6J05
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
FR6J05, FR6J05 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 771.21 KB)
PDFFR6MR05 데이터 시트 표지
FR6MR05 데이터 시트 페이지 2 FR6MR05 데이터 시트 페이지 3

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FR6J05 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)6A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.4V @ 6A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)500ns
전류-역방향 누설 @ Vr25µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-203AA, DO-4, Stud
공급자 장치 패키지DO-4
작동 온도-접합-65°C ~ 150°C

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제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

975mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (HSMA)

작동 온도-접합

-50°C ~ 150°C

DSF05S30U(TPH3,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

450mV @ 500mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

USC

작동 온도-접합

125°C (Max)

MBRS4201T3

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

860mV @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

SMC

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SSB44 R5G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

235pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

BYR16W-1200Q

WeEn Semiconductors

제조업체

WeEn Semiconductors

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

16A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.7V @ 16A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

105ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-247-2

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