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FS100R12KS4BOSA1

FS100R12KS4BOSA1

참조 용

부품 번호 FS100R12KS4BOSA1
PNEDA 부품 번호 FS100R12KS4BOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 600V 100A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,328
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 6 - 4월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FS100R12KS4BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FS100R12KS4BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FS100R12KS4BOSA1, FS100R12KS4BOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 441.91 KB)
PDFFS100R12KS4BOSA1 데이터 시트 표지
FS100R12KS4BOSA1 데이터 시트 페이지 2 FS100R12KS4BOSA1 데이터 시트 페이지 3 FS100R12KS4BOSA1 데이터 시트 페이지 4 FS100R12KS4BOSA1 데이터 시트 페이지 5 FS100R12KS4BOSA1 데이터 시트 페이지 6 FS100R12KS4BOSA1 데이터 시트 페이지 7

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  • FS100R12KS4BOSA1 Distributor

FS100R12KS4BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)130A
전력-최대660W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대)5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce6.8nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

700A

전력-최대

2300W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

750µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

49nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

FF900R12IP4PBOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

PrimePack™2

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

900A

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 900A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

54nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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시리즈

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IGBT 유형

NPT

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전력-최대

350W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

800µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E2

공급자 장치 패키지

E2

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

341A

전력-최대

1042W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.17V @ 15V, 300A (Typ)

전류-수집기 차단 (최대)

300µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

36nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Double INT-A-PAK (3 + 8)

공급자 장치 패키지

Double INT-A-PAK

APT75GP120JDQ3

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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IGBT 유형

PT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

128A

전력-최대

543W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1.25mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7.04nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

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