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FS150R17PE4BOSA1

FS150R17PE4BOSA1

참조 용

부품 번호 FS150R17PE4BOSA1
PNEDA 부품 번호 FS150R17PE4BOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 650V 150A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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FS150R17PE4BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FS150R17PE4BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FS150R17PE4BOSA1, FS150R17PE4BOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 729.82 KB)
PDFFS150R17PE4BOSA1 데이터 시트 표지
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  • FS150R17PE4BOSA1 Distributor

FS150R17PE4BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1700V
전류-수집기 (Ic) (최대)150A
전력-최대835W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce13.5nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전력-최대

125W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

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Microsemi

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시리즈

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

SP3F

FS400R07A1E3BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

500A

전력-최대

1250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

26nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

CPV364M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전력-최대

63W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.84V @ 15V, 20A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.1nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

19-SIP (13 Leads), IMS-2

공급자 장치 패키지

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VS-GB55LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

84A

전력-최대

431W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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