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FS200R07A1E3BOSA1

FS200R07A1E3BOSA1

참조 용

부품 번호 FS200R07A1E3BOSA1
PNEDA 부품 번호 FS200R07A1E3BOSA1
설명 IGBT 650V 250A 790W
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 2,736
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FS200R07A1E3BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FS200R07A1E3BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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FS200R07A1E3BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)250A
전력-최대790W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce13nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

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NTC 서미스터

No

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Infineon Technologies

시리즈

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-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전력-최대

250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4.5V @ 15V, 100A

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