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FS25R12KE3GBOSA1

FS25R12KE3GBOSA1

참조 용

부품 번호 FS25R12KE3GBOSA1
PNEDA 부품 번호 FS25R12KE3GBOSA1
설명 MOD IGBT MED PWR ECONO2-6
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,078
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 8 - 4월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FS25R12KE3GBOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FS25R12KE3GBOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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  • FS25R12KE3GBOSA1 Distributor

FS25R12KE3GBOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈EconoPACK™ 2
IGBT 유형-
구성Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)40A
전력-최대145W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대)5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce1.8nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전력-최대

81W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.55V @ 15V, 15A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

675pF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-GT400TH60N

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

530A

전력-최대

1600W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

30.8nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Double INT-A-PAK (3 + 8)

공급자 장치 패키지

Double INT-A-PAK

MG17300D-BN4MM

Littelfuse

제조업체

Littelfuse Inc.

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전력-최대

1450W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

27nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D-3 Module

공급자 장치 패키지

D3

VS-GT80DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

HEXFRED®

IGBT 유형

Trench

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

139A

전력-최대

658W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.55V @ 15V, 80A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227

APTGF100A120T3AG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

130A

전력-최대

780W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

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