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FS35R12W1T4BOMA1

FS35R12W1T4BOMA1

참조 용

부품 번호 FS35R12W1T4BOMA1
PNEDA 부품 번호 FS35R12W1T4BOMA1
설명 IGBT MODULE 1200V 35A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 2,484
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FS35R12W1T4BOMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FS35R12W1T4BOMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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  • FS35R12W1T4BOMA1 Distributor

FS35R12W1T4BOMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)65A
전력-최대225W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.25V @ 15V, 35A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce2nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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IGBT 유형

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구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

165A

전력-최대

640W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

1.4mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7.4nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E3

공급자 장치 패키지

E3

FS150R12KE3GBOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

EconoPACK™+

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

695W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

10.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGT100H60TG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

340W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

APTGT50DSK120T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Dual Buck Chopper

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

270W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

APTGT30SK170T1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전력-최대

210W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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