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FS50R07N2E4B11BOSA1

FS50R07N2E4B11BOSA1

참조 용

부품 번호 FS50R07N2E4B11BOSA1
PNEDA 부품 번호 FS50R07N2E4B11BOSA1
설명 MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,464
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 29 - 12월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FS50R07N2E4B11BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FS50R07N2E4B11BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FS50R07N2E4B11BOSA1, FS50R07N2E4B11BOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 699.83 KB)
PDFFS50R07N2E4B11BOSA1 데이터 시트 표지
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FS50R07N2E4B11BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈EconoPACK™ 2
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)70A
전력-최대190W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce3.1nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전력-최대

385W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Asymmetrical Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전력-최대

176W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

2600A

전력-최대

12500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 1600A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

105nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

108A

전력-최대

390W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.85V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

INT-A-Pak

공급자 장치 패키지

INT-A-PAK

APTGT200H120G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

280A

전력-최대

890W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

350µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

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