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FS50R07N2E4BOSA1

FS50R07N2E4BOSA1

참조 용

부품 번호 FS50R07N2E4BOSA1
PNEDA 부품 번호 FS50R07N2E4BOSA1
설명 MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,040
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 10 - 2월 15 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FS50R07N2E4BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FS50R07N2E4BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FS50R07N2E4BOSA1, FS50R07N2E4BOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 706.38 KB)
PDFFS50R07N2E4BOSA1 데이터 시트 표지
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FS50R07N2E4BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)70A
전력-최대190W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce3.1nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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시리즈

-

IGBT 유형

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구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single Switch

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

2735A

전력-최대

11000W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 1800A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

110nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

IRG7T150HF12B

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

300A

전력-최대

910W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

2mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

20.2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

POWIR® 62 Module

공급자 장치 패키지

POWIR® 62

FS200R12KT4RPB11BPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

F3L200R12W2H3B11BPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

600W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

11.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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