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FT24C02A-UNR-T

FT24C02A-UNR-T

참조 용

부품 번호 FT24C02A-UNR-T
PNEDA 부품 번호 FT24C02A-UNR-T
설명 IC EEPROM 2K I2C 1MHZ 8DFN
제조업체 Fremont Micro Devices Ltd
단가 견적 요청
재고 있음 2,016
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 21 - 1월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FT24C02A-UNR-T 리소스

브랜드 Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FT24C02A-UNR-T
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
FT24C02A-UNR-T, FT24C02A-UNR-T 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 297.33 KB)
PDFFT24C02A-UNR-T 데이터 시트 표지
FT24C02A-UNR-T 데이터 시트 페이지 2 FT24C02A-UNR-T 데이터 시트 페이지 3 FT24C02A-UNR-T 데이터 시트 페이지 4 FT24C02A-UNR-T 데이터 시트 페이지 5 FT24C02A-UNR-T 데이터 시트 페이지 6 FT24C02A-UNR-T 데이터 시트 페이지 7 FT24C02A-UNR-T 데이터 시트 페이지 8 FT24C02A-UNR-T 데이터 시트 페이지 9 FT24C02A-UNR-T 데이터 시트 페이지 10 FT24C02A-UNR-T 데이터 시트 페이지 11

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FT24C02A-UNR-T 사양

제조업체Fremont Micro Devices Ltd
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기2Kb (256 x 8)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수1MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간550ns
전압-공급1.8V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-WFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-DFN (2x3)

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

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기술

SDRAM

메모리 크기

64Mb (2M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.5ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

86-TSOP II

CY62136FV30LL-45ZSXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

2Mb (128K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

24LC256-I/ST

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

CY7C1354S-200AXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.2ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

IS61WV5128BLL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

2.4V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

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