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FT24C32A-ETR-T

FT24C32A-ETR-T

참조 용

부품 번호 FT24C32A-ETR-T
PNEDA 부품 번호 FT24C32A-ETR-T
설명 IC EEPROM 32KBIT 1MHZ 8TSSOP
제조업체 Fremont Micro Devices Ltd
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FT24C32A-ETR-T 리소스

브랜드 Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FT24C32A-ETR-T
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
FT24C32A-ETR-T, FT24C32A-ETR-T 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 829.9 KB)
PDFFT24C32A-ENR-T 데이터 시트 표지
FT24C32A-ENR-T 데이터 시트 페이지 2 FT24C32A-ENR-T 데이터 시트 페이지 3 FT24C32A-ENR-T 데이터 시트 페이지 4 FT24C32A-ENR-T 데이터 시트 페이지 5 FT24C32A-ENR-T 데이터 시트 페이지 6 FT24C32A-ENR-T 데이터 시트 페이지 7 FT24C32A-ENR-T 데이터 시트 페이지 8 FT24C32A-ENR-T 데이터 시트 페이지 9 FT24C32A-ENR-T 데이터 시트 페이지 10 FT24C32A-ENR-T 데이터 시트 페이지 11

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  • FT24C32A-ETR-T Distributor

FT24C32A-ETR-T 사양

제조업체Fremont Micro Devices Ltd
시리즈*
메모리 유형-
메모리 포맷-
기술-
메모리 크기-
메모리 인터페이스-
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-VFBGA

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54-VFBGA (6x9)

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제조업체

Micron Technology Inc.

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메모리 유형

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메모리 포맷

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메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

63-VFBGA

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63-VFBGA (10.5x13)

EDF8164A3MD-GD-F-R TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

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기술

SDRAM - Mobile LPDDR3

메모리 크기

8Gb (128M x 64)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.95V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

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-

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

2Mb (128K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

70P269L65BYGI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

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시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

256Kb (16K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

65ns

접근 시간

65ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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