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FT24C32A-USG-B

FT24C32A-USG-B

참조 용

부품 번호 FT24C32A-USG-B
PNEDA 부품 번호 FT24C32A-USG-B
설명 IC EEPROM 32K I2C 800KHZ 8SOP
제조업체 Fremont Micro Devices Ltd
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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FT24C32A-USG-B 리소스

브랜드 Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FT24C32A-USG-B
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
FT24C32A-USG-B, FT24C32A-USG-B 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 316.02 KB)
PDFFT24C64A-UTG-T 데이터 시트 표지
FT24C64A-UTG-T 데이터 시트 페이지 2 FT24C64A-UTG-T 데이터 시트 페이지 3 FT24C64A-UTG-T 데이터 시트 페이지 4 FT24C64A-UTG-T 데이터 시트 페이지 5 FT24C64A-UTG-T 데이터 시트 페이지 6 FT24C64A-UTG-T 데이터 시트 페이지 7 FT24C64A-UTG-T 데이터 시트 페이지 8 FT24C64A-UTG-T 데이터 시트 페이지 9 FT24C64A-UTG-T 데이터 시트 페이지 10 FT24C64A-UTG-T 데이터 시트 페이지 11

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FT24C32A-USG-B 사양

제조업체Fremont Micro Devices Ltd
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기32Kb (4K x 8)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수800kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간700ns
전압-공급1.8V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

115ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

56-TSOP I

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.5V ~ 2.7V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

66-TSOP

IS45S16160D-6BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TFBGA

공급자 장치 패키지

54-TFBGA (8x13)

IS43QR16256A-093PBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR4

메모리 크기

4Gb (256M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.066GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.26V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

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23K640-E/P

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

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