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FT93C56A-UTR-T

FT93C56A-UTR-T

참조 용

부품 번호 FT93C56A-UTR-T
PNEDA 부품 번호 FT93C56A-UTR-T
설명 IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8TSSOP
제조업체 Fremont Micro Devices Ltd
단가 견적 요청
재고 있음 6,912
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FT93C56A-UTR-T 리소스

브랜드 Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FT93C56A-UTR-T
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
FT93C56A-UTR-T, FT93C56A-UTR-T 데이터 시트 (총 페이지: 23, 크기: 209.92 KB)
PDFFT93C66A-ITR-T 데이터 시트 표지
FT93C66A-ITR-T 데이터 시트 페이지 2 FT93C66A-ITR-T 데이터 시트 페이지 3 FT93C66A-ITR-T 데이터 시트 페이지 4 FT93C66A-ITR-T 데이터 시트 페이지 5 FT93C66A-ITR-T 데이터 시트 페이지 6 FT93C66A-ITR-T 데이터 시트 페이지 7 FT93C66A-ITR-T 데이터 시트 페이지 8 FT93C66A-ITR-T 데이터 시트 페이지 9 FT93C66A-ITR-T 데이터 시트 페이지 10 FT93C66A-ITR-T 데이터 시트 페이지 11

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FT93C56A-UTR-T 사양

제조업체Fremont Micro Devices Ltd
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기2Kb (256 x 8, 128 x 16)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수2MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지10ms
접근 시간-
전압-공급1.8V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MTFC16GAKAECN-2M WT

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

e•MMC™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

128Gb (16G x 8)

메모리 인터페이스

MMC

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

153-VFBGA

공급자 장치 패키지

153-VFBGA (11.5x13)

CAT28F010LI90

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

90ns

접근 시간

90ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

32-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

32-PDIP

MT46V16M16TG-75 L:F TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

750ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

66-TSOP

CY62147GN30-45B2XI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-VFBGA

공급자 장치 패키지

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