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FW216A-TL-2W

FW216A-TL-2W

참조 용

부품 번호 FW216A-TL-2W
PNEDA 부품 번호 FW216A-TL-2W
설명 MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8SOIC
제조업체 ON Semiconductor
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재고 있음 8,640
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FW216A-TL-2W 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FW216A-TL-2W
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FW216A-TL-2W, FW216A-TL-2W 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 260.95 KB)
PDFFW216A-TL-2W 데이터 시트 표지
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FW216A-TL-2W 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate, 4V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)35V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs64mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs5.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds280pF @ 10V
전력-최대2.2W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

32mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

670pF @ 20V

전력-최대

20.8W

작동 온도

-50°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8 Dual

EFC6612R-A-TF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2.5W

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

6-CSP (1.77x3.54)

FD6M043N08

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

65A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

148nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6180pF @ 25V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

EPM15

공급자 장치 패키지

EPM15

DMNH6065SPDWQ-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

APTM50HM75FTG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

46A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

123nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5600pF @ 25V

전력-최대

357W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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