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FW231A-TL-E

FW231A-TL-E

참조 용

부품 번호 FW231A-TL-E
PNEDA 부품 번호 FW231A-TL-E
설명 MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP
제조업체 SANYO Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,510
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FW231A-TL-E 리소스

브랜드 SANYO Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FW231A-TL-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FW231A-TL-E, FW231A-TL-E 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 39.75 KB)
PDFFW231A-TL-E 데이터 시트 표지
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  • FW231A-TL-E Distributor

FW231A-TL-E 사양

제조업체SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs23mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs21nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1530pF @ 10V
전력-최대2.3W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

888pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

NTTD1P02R2

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.45A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

160mOhm @ 1.45A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

265pF @ 16V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

Micro8™

SIA537EDJ-T1-GE3

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V, 20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

455pF @ 6V

전력-최대

7.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SC-70-6 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SC-70-6 Dual

BSS8402DW-7-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V, 50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

115mA, 130mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 25V

전력-최대

200mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

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Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A, 13A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

710pF @ 15V

전력-최대

1.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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F951E106MAAAQ2

CAP TANT 10UF 20% 25V 1206