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FZ1800R17HP4B9HOSA2

FZ1800R17HP4B9HOSA2

참조 용

부품 번호 FZ1800R17HP4B9HOSA2
PNEDA 부품 번호 FZ1800R17HP4B9HOSA2
설명 MODULE IGBT IHMB190-2
제조업체 Infineon Technologies
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FZ1800R17HP4B9HOSA2 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FZ1800R17HP4B9HOSA2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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FZ1800R17HP4B9HOSA2 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench
구성Single Switch
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1700V
전류-수집기 (Ic) (최대)1800A
전력-최대11500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.25V @ 15V, 1800A
전류-수집기 차단 (최대)5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce145nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

85A

전력-최대

390W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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IGBT 유형

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Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

310W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7.056nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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Infineon Technologies

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시리즈

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-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

600A

전력-최대

1800W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

4mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

41.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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POWIR® 62

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

680W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

2mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

POWIR® 62 Module

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Powerex Inc.

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IGBT 유형

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구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

350W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

27nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

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