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FZ3600R17HE4HOSA2

FZ3600R17HE4HOSA2

참조 용

부품 번호 FZ3600R17HE4HOSA2
PNEDA 부품 번호 FZ3600R17HE4HOSA2
설명 MODULE IGBT IHMB190-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,426
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 28 - 4월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FZ3600R17HE4HOSA2 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FZ3600R17HE4HOSA2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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  • FZ3600R17HE4HOSA2 Distributor

FZ3600R17HE4HOSA2 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Single Switch
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1700V
전류-수집기 (Ic) (최대)7200A
전력-최대21000W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 3600A
전류-수집기 차단 (최대)5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce295nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1400A

전력-최대

7700W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 1400A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

82nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FS50R12W2T4B11BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

83A

전력-최대

335W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTCV60TLM99T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Level Inverter - IGBT, FET

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전력-최대

90W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

APTGT200SK60TG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

290A

전력-최대

625W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

12.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

APTGT150DU120TG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Dual, Common Source

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

220A

전력-최대

690W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

10.7nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

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