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FZ3600R17KE3B2NOSA1

FZ3600R17KE3B2NOSA1

참조 용

부품 번호 FZ3600R17KE3B2NOSA1
PNEDA 부품 번호 FZ3600R17KE3B2NOSA1
설명 IGBT MODULE 1700V 3600A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,974
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 16 - 3월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FZ3600R17KE3B2NOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FZ3600R17KE3B2NOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FZ3600R17KE3B2NOSA1, FZ3600R17KE3B2NOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 428.42 KB)
PDFFZ3600R17KE3B2NOSA1 데이터 시트 표지
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  • FZ3600R17KE3B2NOSA1 Distributor

FZ3600R17KE3B2NOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈*
IGBT 유형-
구성-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전력-최대-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce-
입력-
NTC 서미스터-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

940W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

19nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGT75DA60T1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.62nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

APTGF30TL601G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Three Level Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

42A

전력-최대

140W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 30A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.35nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

FS450R17KE4BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

EconoPACK™+

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

600A

전력-최대

2500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 450A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

36nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGF180DU60TG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Dual, Common Source

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

220A

전력-최대

833W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 180A

전류-수집기 차단 (최대)

300µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

8.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

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