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FZ400R17KE3HOSA1

FZ400R17KE3HOSA1

참조 용

부품 번호 FZ400R17KE3HOSA1
PNEDA 부품 번호 FZ400R17KE3HOSA1
설명 MOD IGBT MED PWR 62MM-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,374
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FZ400R17KE3HOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FZ400R17KE3HOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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FZ400R17KE3HOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1700V
전류-수집기 (Ic) (최대)620A
전력-최대2250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대)3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce36nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

840A

전력-최대

3000W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

37.2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

D3

APTGT150DA120D1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

220A

전력-최대

700W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

4mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

10.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D1

공급자 장치 패키지

D1

APTGT75DU120TG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Dual, Common Source

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

350W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5.34nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

BSM200GB170DLCE3256HDLA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전력-최대

1660W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

15nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

-

GB35XF120K

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전력-최대

284W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.475nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

ECONO2

공급자 장치 패키지

-

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