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FZT705TC

FZT705TC

참조 용

부품 번호 FZT705TC
PNEDA 부품 번호 FZT705TC
설명 TRANS PNP DARL 120V 2A SOT223
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 6,300
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 31 - 4월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FZT705TC 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FZT705TC
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
FZT705TC, FZT705TC 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 589.51 KB)
PDFFZT705TC 데이터 시트 표지
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FZT705TC 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic2.5V @ 2mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대)10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce3000 @ 1A, 5V
전력-최대2W
주파수-전환160MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지SOT-223

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전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 1A, 2V

전력-최대

2W

주파수-전환

-

작동 온도

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트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 100µA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20000 @ 100mA, 5V

전력-최대

1.3W

주파수-전환

220MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 8mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

2mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 1A, 4V

전력-최대

2W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

CPH6223-TL-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

240mV @ 100mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

전력-최대

1.3W

주파수-전환

380MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 500mA, 2V

전력-최대

900mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

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Through Hole

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