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G2SB80-E3/51

G2SB80-E3/51

참조 용

부품 번호 G2SB80-E3/51
PNEDA 부품 번호 G2SB80-E3-51
설명 BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A GBL
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

G2SB80-E3/51 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호G2SB80-E3/51
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
G2SB80-E3/51, G2SB80-E3/51 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 84.29 KB)
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G2SB80-E3/51 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)800V
전류-평균 정류 (Io)1.5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 750mA
전류-역방향 누설 @ Vr50µA @ 600V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-SIP, GBL
공급자 장치 패키지GBL

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기술

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전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

작동 온도

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장착 유형

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Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 4A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, GBL

공급자 장치 패키지

GBL

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

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Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 10A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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전압-피크 역방향 (최대)

1.4kV

전류-평균 정류 (Io)

75A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.15V @ 75A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1400V

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 800V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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