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GA01PNS80-220

GA01PNS80-220

참조 용

부품 번호 GA01PNS80-220
PNEDA 부품 번호 GA01PNS80-220
설명 RF DIODE PIN 8000V
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,122
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GA01PNS80-220 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GA01PNS80-220
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
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  • GA01PNS80-220 Distributor

GA01PNS80-220 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)8000V
현재-최대2A
커패시턴스 @ Vr, F4pF @ 1000V, 1MHz
저항 @ If, F-
전력 손실 (최대)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
패키지 / 케이스Axial
공급자 장치 패키지-

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15V

현재-최대

350mA

커패시턴스 @ Vr, F

6.7pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

650mOhm @ 100mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

350mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Broadcom Limited

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다이오드 유형

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전압-피크 역방향 (최대)

15V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

12Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Common Anode

전압-피크 역방향 (최대)

70V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

35Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

3Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.26pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

14Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

75mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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