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GB2X50MPS17-227

GB2X50MPS17-227

참조 용

부품 번호 GB2X50MPS17-227
PNEDA 부품 번호 GB2X50MPS17-227
설명 DIODE MOD SCHOTTKY 1700V SOT227
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,642
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 24 - 6월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GB2X50MPS17-227 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GB2X50MPS17-227
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
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PDFGB2X50MPS17-227 데이터 시트 표지
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  • GB2X50MPS17-227 Distributor

GB2X50MPS17-227 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 구성2 Independent
다이오드 유형Silicon Carbide Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1700V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)136A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.8V @ 50A
속도No Recovery Time > 500mA (Io)
역 복구 시간 (trr)0ns
전류-역방향 누설 @ Vr50µA @ 1700V
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지SOT-227

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160mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

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속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

3µs

전류-역방향 누설 @ Vr

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Taiwan Semiconductor Corporation

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 50V

작동 온도-접합

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Automotive, AEC-Q101

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

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10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

930mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3.5µA @ 100V

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

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STTH2003CG-TR

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STMicroelectronics

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 300V

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속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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