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GBJ2010-G

GBJ2010-G

참조 용

부품 번호 GBJ2010-G
PNEDA 부품 번호 GBJ2010-G
설명 BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ
제조업체 Comchip Technology
단가 견적 요청
재고 있음 4,842
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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GBJ2010-G 리소스

브랜드 Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GBJ2010-G
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
GBJ2010-G, GBJ2010-G 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 115.51 KB)
PDFGBJ2010-G 데이터 시트 표지
GBJ2010-G 데이터 시트 페이지 2

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GBJ2010-G 사양

제조업체Comchip Technology
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)1kV
전류-평균 정류 (Io)20A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.05V @ 10A
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 1000V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-SIP, GBJ
공급자 장치 패키지GBJ

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다이오드 유형

Single Phase

기술

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전압-피크 역방향 (최대)

1kV

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 3A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, GBU

공급자 장치 패키지

GBU

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, KBP

공급자 장치 패키지

KBP

KBP06ML-6161E4/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1.57A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, KBPM

공급자 장치 패키지

KBPM

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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다이오드 유형

Three Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 10A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

NC, Module

공급자 장치 패키지

NC

APTDF100H100G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1kV

전류-평균 정류 (Io)

130A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.7V @ 100A

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 1000V

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SP4

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