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GBPC2510T

GBPC2510T

참조 용

부품 번호 GBPC2510T
PNEDA 부품 번호 GBPC2510T
설명 BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBPC
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,362
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 26 - 1월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GBPC2510T 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GBPC2510T
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
GBPC2510T, GBPC2510T 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 698.46 KB)
PDFGBPC25010T 데이터 시트 표지
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  • GBPC2510T Distributor

GBPC2510T 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)1kV
전류-평균 정류 (Io)25A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 12.5A
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 1000V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-Square, GBPC
공급자 장치 패키지GBPC

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전류-평균 정류 (Io)

200A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.45V @ 200A

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 1600V

작동 온도

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전압-피크 역방향 (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

110A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

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Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 10A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

GBU

TS8P07GHD2G

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1kV

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 8A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1000V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, TS-6P

공급자 장치 패키지

TS-6P

TS10P07GHD2G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1kV

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 10A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1000V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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4-SIP, TS-6P

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