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GBPC35010T

GBPC35010T

참조 용

부품 번호 GBPC35010T
PNEDA 부품 번호 GBPC35010T
설명 BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A GBPC
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,290
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 31 - 4월 5 (신속 배송 선택)
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GBPC35010T 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GBPC35010T
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기

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GBPC35010T 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)1kV
전류-평균 정류 (Io)35A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 17.5A
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 1000V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형QC Terminal
패키지 / 케이스4-Square, GBPC
공급자 장치 패키지GBPC

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전압-피크 역방향 (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 2A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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GeneSiC Semiconductor

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GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 3A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

작동 온도

-65°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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-

다이오드 유형

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기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 400mA

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Micro Commercial Co

시리즈

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1kV

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 3A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1000V

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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시리즈

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 4A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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