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GBU4D

GBU4D

참조 용

부품 번호 GBU4D
PNEDA 부품 번호 GBU4D_156
설명 BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A GBU
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가
1 ---------- $10.3621
100 ---------- $9.8764
250 ---------- $9.3907
500 ---------- $8.9049
750 ---------- $8.5002
1,000 ---------- $8.0954
재고 있음 143
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GBU4D 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GBU4D
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
GBU4D, GBU4D 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 617.84 KB)
PDFGBU4D 데이터 시트 표지
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  • GBU4D Distributor

GBU4D 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)200V
전류-평균 정류 (Io)4A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 4A
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 200V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-SIP, GBU
공급자 장치 패키지GBU

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전압-피크 역방향 (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 4A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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다이오드 유형

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전압-피크 역방향 (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 5A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, GBJ

공급자 장치 패키지

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 20A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, TS-6P

공급자 장치 패키지

TS-6P

GBJ1004-G

Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 5A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, GBJ

공급자 장치 패키지

GBJ

GBL02

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 4A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, GBL

공급자 장치 패키지

GBL

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