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GBU4J

GBU4J

참조 용

부품 번호 GBU4J
PNEDA 부품 번호 GBU4J_156
설명 BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBU
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가
1 ---------- $10.2030
100 ---------- $9.7247
250 ---------- $9.2465
500 ---------- $8.7682
750 ---------- $8.3697
1,000 ---------- $7.9711
재고 있음 1,504
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GBU4J 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GBU4J
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
GBU4J, GBU4J 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 662.03 KB)
PDFGBU4M 데이터 시트 표지
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GBU4J 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)4A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 4A
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 600V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-SIP, GBU
공급자 장치 패키지GBU

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Single Phase

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전압-피크 역방향 (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 8A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, GBU

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 5A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, BU

공급자 장치 패키지

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Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 15A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, GBU

공급자 장치 패키지

GBU

VS-2KBB40

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1.9A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1.9A

전류-역방향 누설 @ Vr

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, 2KBB

공급자 장치 패키지

2KBB

DF160R12W2H3FB11BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

-

기술

-

전압-피크 역방향 (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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