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GBUE2560-M3/P

GBUE2560-M3/P

참조 용

부품 번호 GBUE2560-M3/P
PNEDA 부품 번호 GBUE2560-M3-P
설명 BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4.9A GBU
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 15,912
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GBUE2560-M3/P 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GBUE2560-M3/P
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
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PDFGBUE2560-M3/P 데이터 시트 표지
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GBUE2560-M3/P 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)4.9A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If920mV @ 12.5A
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 600V
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-SIP, GBU
공급자 장치 패키지GBU

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전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 800mA

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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다이오드 유형

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Standard

전압-피크 역방향 (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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KBPR

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 400mA

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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GeneSiC Semiconductor

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 800V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-EDIP (0.321", 8.15mm)

공급자 장치 패키지

DB

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 12.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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